静电保护（ESD）是1993年经全国科学技术名词审定委员会审定的电子学名词，旨在防止静电放电对电子元件的损伤。静电放电可产生数千伏瞬时电压，通过直接电流冲击或电磁耦合导致设备故障、数据丢失或元件永久损坏。防护机理基于二极管反向击穿特性与雪崩导电通路，配合串联电阻控制电流。主要防护措施包括器件包装规范、操作流程优化、电路设计策略（如限流电阻、TVS二极管、TransZorb保护电路）等。行业采用HBM、MM、CDM、FIM等测试模式评估防护性能，其中HBM和MM为主流标准。先进制程需结合工艺优化与版图设计应对尺寸缩小带来的ESD挑战。

1993年经全国科学技术名词审定委员会审定，静电保护被确立为电子学名词，指通过技术手段防止静电放电对电子设备造成损害。其学科属性涵盖静电产生、衰减模型及放电效应研究。

静电主要来源包括：

微电子器件易在绝缘材料摩擦中带电，通过直接接触或电容耦合传输电荷。

防护措施分为工艺优化与电路设计：

主流测试标准：

先进制程下器件尺寸缩小导致：

应对策略包括优化版图布局与调整掺杂浓度。

操作规范要求：

电路设计准则：