道宽（channel width）在电子学中具有多重专业含义。在无线电波段分配中特指频段划分标准，如电视频道宽度为6兆赫；在半导体器件领域指场效应晶体管内源极与漏极间导电沟道的横向尺寸参数；在信号传输系统内既可作为信息通路的代称，又表征通路的物理带宽容量。该术语1993年通过《电子学名词》确立为规范学术用语。

道宽作为电子学基础概念，在无线电工程与微电子器件领域具有差异化定义。在无线电频段分配中，指经管理机构核准的特定用途频段范围，如标准广播频道的9或10千赫带宽。在半导体物理范畴，特指场效应晶体管中连接源极与漏极的导电沟道横向尺寸，该参数直接影响载流子迁移率与器件导通特性。

在射频系统设计中，道宽参数决定频段资源利用效率，典型如电视频道的6兆赫道宽标准，确保相邻频道信号互不干扰。对于MOSFET等场效应器件，道宽与沟道长度的比例关系是器件跨导特性的核心影响因素。在集成电路版图设计中，道宽参数需通过光刻工艺精确控制，加工误差需保持在纳米级精度范围。

道宽参数具有显著的工程量化特征。无线电系统的道宽设置需遵循国际电信联盟频段划分协议，我国采用的PAL-D制式彩色电视系统中，每频道占用8兆赫射频带宽，其中亮度信号带宽为6兆赫。在半导体器件领域，典型CMOS工艺中N沟道MOS管的道宽设计值通常在0.13微米至65纳米区间，随工艺节点进步持续微缩。绝缘栅型场效应管的道宽方向垂直于载流子运动路径，该结构特性使得道宽参数与漏电流呈现正相关关系。

道宽的计量方法因应用领域不同而存在差异。无线电工程中采用频谱分析仪进行频域测量，要求道宽边缘衰减达到-3dB标准。在半导体器件表征中，需通过透射电子显微镜（TEM）或扫描电容显微镜（SCM）进行纳米级尺寸量测，配合电学参数测试系统获取等效道宽值。国际半导体技术路线图（ITRS）对道宽参数的工艺偏差控制提出明确要求，45纳米工艺节点要求道宽误差不超过±2.1纳米。

1993年《电子学名词》首次将道宽确立为规范术语，统一了无线电工程与半导体物理领域的术语使用。在半导体制造领域，场效应晶体管中源极与漏极间的主电流通路称为沟道，道宽（channel width）即指该沟道的宽度。