表面复合是指半导体表面禁带内的
表面态（或称
表面能级）作为
复合中心，促使
非平衡载流子发生复合的过程。该现象通过
表面复合速度（S）表征，其单位为cm/s，不同处理工艺下的S值差异显著（如GaP材料腐蚀表面S>2×10cm/s）。半导体表面因
晶格缺陷和杂质形成复合中心，导致器件性能易受表面影响。
表面复合就是半导体少数载流子在表面消失的现象。由于半导体表面是晶格的终止面，将引入大量的缺陷，这些缺陷也就是载流子的产生-
复合中心；并且由于沾污等外界因素的影响，还更增加了产生-复合中心。所以，半导体表面具有很强的复合
少数载流子的作用，同时也使得半导体表面对外界的因素很敏感，这也是造成半导体器件性能受到表面影响很大的根本原因。