组分缺陷是晶体结构缺陷的一种，特指在置换型固溶体中发生不等价离子置换时，为维持晶体电中性而在原晶格结点位置产生的空位或间隙离子。其形成机制主要包括高价置换低价阳离子导致阳离子空位或阴离子间隙，以及低价置换高价阳离子产生阴离子空位或阳离子间隙。与热缺陷不同，组分缺陷的浓度由掺杂量和固溶度决定，而非温度。组分缺陷主要产生于不等价置换的固溶体中，为保持晶体的电中性，在原来结构的结点位置产生空位或间隙离子。典型实例包括ZrO2中掺入CaO形成氧空位，以及TiO2-x中因氧空位产生的非化学计量缺陷。这类缺陷对材料性能具有调控作用，如通过活化晶格提升电导率或优化陶瓷材料的烧结性能。

在不等价置换的固溶体中，溶质离子与溶剂离子的价态差异导致电荷失衡，晶体通过形成空位或间隙离子恢复电中性。例如：

此类缺陷浓度与杂质掺杂量呈正相关，且受限于固溶体的溶解度范围。

根据置换类型与环境条件，组分缺陷主要分为四类：

典型材料包括掺杂CaO的ZrO2氧离子导体、Y2O3稳定的氧化锆陶瓷等。

组分缺陷的验证常采用以下方法：

组分缺陷浓度主要受以下因素制约：

通过调控组分缺陷可优化材料性能：