硅稳压管（Silicone zener diode），又称齐纳二极管，是一种采用特殊工艺制造的具有稳压作用的半导体器件，主体由重掺杂的P型与N型半导体形成薄耗尽层结构的PN结构成。其通过反向击穿机制实现稳压功能，击穿后可在反向电流变化时保持端子间电压恒定，击穿类型包括齐纳击穿（低压型）和雪崩击穿（高压型）。

硅稳压管的正向特性与普通二极管相似。主要参数有稳定电压、稳定电流、最大稳定电流等。它与普通二极管最大的不同在于它一般反极性使用，即正极接地，负极接稳压输入。