水峰
OH-离子引起的损耗峰
水峰是光纤中由OH-离子引起的损耗峰,其损耗因素主要包括吸收损耗与瑞利散射损耗。光纤损耗可分为本征损耗、制造损耗及附加损耗三类,其中制造损耗源于光纤制造过程中产生的杂质吸收和结构缺陷。OH-离子的吸收峰位于1383nm波长处,造成水峰损耗。
光纤的损耗因素主要有吸收损耗、瑞利散射损耗和其他损耗。这些损耗又可以归纳为本征损耗、制造损耗和附加损耗等。
光纤制造损耗是在制造光纤的工艺过程中产生的,主要由光纤中不纯成分的吸收(杂质吸收)和光纤的结构缺陷引起。杂质吸收中影响较大的是各种过渡金属离子和OH-离子导致的光的损耗。其中OH-离子的影响比较大,它的吸收峰分别位于950nm,1240mm和1390nm,对光纤通信系统影响较大。
随着光纤制造工艺的日趋完善,过渡金属的影响已不显著,最好的工艺已可以使OH-离子在1390nm处的损耗降低到0.04dB/km,甚至小到可忽略不计的程度。
参考资料
全贝®+ 低损耗单模光纤.长飞光纤光缆股份有限公司.2025-08-09
最新修订时间:2025-09-24 20:58
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