李振荣，女，西安交通大学电子与信息学部电子材料研究所教授、博士生导师，教育部“新世纪优秀人才培养计划”入选者。1989年获南京工业大学材料科学学士学位，1992年获该校硕士学位，1999年获西安交通大学微电子学与固体电子学博士学位。1992年起历任济南大学材料系助教、讲师，1998年进入西安交通大学电子材料研究所工作，2002年赴葡萄牙阿威罗大学从事博士后研究。

1989.7 获南京工业大学材料科学学士学位

1992.3 获南京工业大学材料科学硕士学位

1999.11 获西安交通大学微电子学与固体电子学博士学位

1992.4-1996.2, 济南大学材料系，历任助教，讲师

1998.6-, 西安交通大学电子材料研究所，历任讲师、副教授、教授

2002.12-2003.11, 葡萄牙阿威罗大学博士后

（1）高性能弛豫铁电单晶与器件

（2）压电陶瓷与器件

（3）宽禁带半导体GaN单晶生长

作为主持人承担了总装预研重点基金、总装预研项目、国家自然科学基金、中俄国际合作项目、教育部博士点基金项目、军方863项目、陕西省国际合作项目等；作为研究骨干承担了科技部973、863项目、国家自然科学基金委金砖国家科技合作项目等。

在高性能弛豫铁电单晶研究方面，拥有了坩埚下降法生长大尺寸弛豫铁电单晶生长技术，实现了直径3英寸高性能弛豫铁电单晶的小批量生产，为水声超声器件的研制提供了保障。已经具有了直径5英寸弛豫铁电单晶的生长能力。研制出单晶超声马达和单晶加速度计。设计并研制出用于宽禁带半导体GaN单晶生长的高温高压设备，采用助熔剂液相外延技术实现了GaN单晶的生长。发表SCI检索学术论文100余篇，获得国家授权发明专利4项。

2020年，军队科学技术进步奖一等奖，高性能压电单晶材料，第三完成人

2015年，国家自然科学奖二等奖，弛豫铁电体的微畴-宏畴理论体系及其相关材料的高性能化，第四完成人

2014年，教育部自然科学奖一等奖，高性能弛豫铁电单晶/陶瓷材料及其器件，第二完成人

2003年，教育部提名国家科学技术奖一等奖，高性能低温烧结BZN基高频电介质陶瓷，第六完成人

2003年，陕西省科学技术奖二等奖，高性能低温烧结温度稳定型BZN基高频MLCC材料，第四完成人

2002年，陕西省高校科学技术奖一等奖，高性能低温烧结温度稳定型BZN基高频MLCC材料，第四完成