微组装是计算机科学技术领域实现电子系统高密度集成的关键技术，其核心是通过高精度工艺将
裸芯片、微型元件集成于多层布线基板。该技术体系包含芯片级、组件级与印制电路板级三个层次，典型应用包括MCM多芯片组件和三维叠层结构。技术指标显示可实现体积缩小60%、信号传输提升3-5倍、功耗降低20%-40%。
微组装指在高密度多层布线基板上，采用微型焊接技术组装2块以上裸芯片与微型元器件的
混合集成电路制造工艺
根据2021年《计算机科学技术名词》定义，该技术涵盖三个实施层级：芯片级的微型元件集成、组件级的
MCM构建、印制电路板级的系统整合。2022年研究补充说明，三维高密度微组装作为分支技术，融合了SIP系统级封装与SOC芯片设计理念。
采用厚膜/薄膜/LTCC技术构建4-60层布线基板，介电常数控制在3.9-9.8之间，线宽精度达±5μm。混合多层技术可实现不同材料层的交替堆叠，解决高频信号传输与热膨胀系数匹配难题。
包含引线键合（金丝/铜丝键合直径15-50μm）、倒装芯片焊接（凸点高度10-30μm）、TSV硅通孔（孔径5-20μm）三类主流工艺。2022年资料显示，垂直互连需完成12道工序，其中微凸点键合力控制在0.5-2.0N/点。
采用金刚石镀膜基板（热导率1300-2000W/mK）或微流道散热结构，解决三维叠层结构的热流密度问题。2022年研究指出，10层芯片堆叠时需保证层间温差≤8℃。
2022年案例显示，采用三维微组装的
星载计算机体积较传统设计缩小72%，抗辐射能力提升至100krad。通过裸芯片叠装结构实现128通道数据处理，运算速度达800MIPS。
2022年研究指出，三维微组装面临三大挑战：10层以上堆叠的散热效率下降47%、高频信号串扰增加15dB、多材料界面疲劳寿命不足5千次热循环。2024年技术路线提出采用石墨烯界面材料和光子互连技术，目标在2030年前实现1μm以下互连间距和1000层3D集成。