崩越二极管（IMPATT diode），全称碰撞雪崩渡越时间二极管，是一种基于
PN结雪崩击穿效应与载流子渡越时间延迟产生微波振荡的
半导体器件。该器件通过反向偏置电压使偶极层发生雪崩倍增，载流子在漂移区渡越时形成相位延迟，从而建立微波频段的负阻特性。
崩越二极管的计算机模拟工作在世界上开展已久，中国也有所进展”，1985年中国研究人员改进了崩越管模拟程序。整个程序包括直流、交流小信号和大信号沸分。为了进一步了解器件物理性能，并达到优化器件设计的目的，对硅8毫米双漂移结构崩越管进行了大量的模拟运算，进而分析了模拟绪果。同时经一定步骤的模拟，对器件设计进行了优化,使研制的器件获得较好结果。