孟国栋，
西安交通大学电气学院教授、博士生导师。2007年获西安交通大学
电气工程学士学位，2014年获该校博士学位。2015年赴
麻省理工学院核工系从事博士后研究，2017年任
牛津大学材料系访问学者，2019年晋升副教授，2025年起任教授。现任《电气工程学报》编委、
中国电工技术学会电工测试专委会委员及IEEE PES海洋可再生能源技术分委会理事。
2025年7月，西安交通大学电气工程学院、电工材料电气绝缘全国重点实验室孟国栋教授团队联合新加坡科技设计大学Lay Kee Ang教授团队在《自然·通讯》发表研究成果，研究团队创新性地提出了基于透射电子显微镜的原位击穿与表征技术，系统实验研究了纳米钨电极结构（尖端半径2-190nm）在真空纳米间隙（5-100nm）的本征场致电子发射特性。首次结合原位实验和理论分析揭示了场致电子发射的纳米尺度几何形状效应，填补了经典场发射理论在纳米尺度范围的空白，为推动高性能电气装备、微纳电子器件的绝缘设计与性能优化提供了重要的理论支撑。