地弹是集成电路中因电感效应导致的参考电平偏移现象。当芯片输出状态切换时，负载电容放电电流通过接地回路寄生电感产生瞬时压降，使芯片内部地电位与电路板地电平形成差异。这种现象由封装邦定线电感（L）与电流突变率（di/dt）共同作用导致，遵循V=Ldi/dt的物理规律。地弹会引发逻辑误触发、信号完整性劣化及电磁辐射等问题，在高速数字电路设计中需通过去耦电容优化、多接地引脚布局和信号边沿控制等手段进行抑制。

地弹本质是芯片封装内部地电位相对于电路板参考地的瞬时偏移。此现象由两个关键要素构成：

典型实例为推挽输出电路中，当CMOS驱动器切换状态时，通过接地引脚的瞬态电流在电感上产生电压尖峰，造成内部逻辑地与PCB地之间可达数百mV的电位差。

地弹现象的形成需要同时满足以下条件：

在开关电源中，电流环路面积突变（如MOSFET关断）会导致磁通量急剧变化（dΦB/dt），这是另一种地弹产生机理。