发射结是双极性晶体管（BJT）内部由发射区与基区交界形成的PN结结构。该结构在NPN型晶体管中表现为P型基区与N+型发射区的半导体界面，其核心功能在于通过正向偏置实现载流子注入。当发射结处于正偏状态时，高掺杂发射区的多数载流子（电子）通过扩散作用进入基区，形成发射极电流的主要传输路径。

发射结由发射区与基区的半导体材料接触面构成，根据晶体管类型分为NPN型和PNP型两种极性形式。在典型NPN结构中，发射区采用重掺杂N型半导体（N+），基区为轻掺杂P型半导体，两者界面形成发射结。这种非对称掺杂设计使发射区载流子浓度比基区高2-3个数量级，确保正向偏置时载流子单向注入特性。

合金法与扩散法制造的晶体管基区宽度分别为10μm和2-3μm，后者通过精确控制杂质分布实现更高的载流子传输效率。发射结结深（Xje）与集电结结深（Xjc）的比值是工艺设计的重要参数，直接影响晶体管的频率响应特性。

当发射结施加正向偏置电压（VBE>0）时，PN结势垒降低，发射区高浓度电子向基区扩散形成发射极电流（IE）。基区的低掺杂与窄宽度特性使得约98%的注入电子可穿越至集电结边界，仅有少量电子与基区空穴复合形成基极电流（IB）。

集电结反向偏置产生的强电场将到达基区的电子迅速抽入集电区，形成集电极电流（IC）。电流放大系数β=IC/IB的稳定性依赖于发射结掺杂浓度与基区宽度的工艺控制，典型值范围在20-200之间。

发射结的正向伏安特性遵循指数规律：IE=IS(e^(VBE/VT)-1)，其中IS为饱和电流，VT为热电压（约26mV@300K）。实际应用中需限制VBE在0.6-0.7V（硅管）范围内以防止过热损坏。

温度每升高1℃，VBE下降约2-2.5mV，同时β值增加0.5%-1%，这种温度特性要求电路设计中必须引入温度补偿机制。反向击穿电压（BVEBO）是发射结的重要极限参数，典型值为6-8V，超过该值会导致结区雪崩击穿。

合金法工艺制造的发射结具有突变型杂质分布，基区宽度较大导致载流子在传输过程中复合率较高，限制工作频率。扩散法则形成缓变型杂质分布，通过精确控制磷扩散浓度梯度可使基区建立自建电场，提升电子迁移速度。

现代平面工艺采用离子注入技术将发射区掺杂浓度提升至10^19cm^-3以上，基区浓度控制在10^17cm^-3量级，这种浓度梯度差异使发射效率（γ）接近理论极限值0.995。外延基区技术的应用进一步将基区宽度缩减至0.1μm以下，使特征频率（fT）突破100GHz。