DDR4内存是新一代计算机内存规格，由
三星电子于2011年1月4日完成首款样品开发。该内存采用16bit预取机制，相比
DDR3的8bit预取机制实现理论速度倍增，工作电压降至1.2V，传输规范可靠性及节能表现优于DDR3标准。三星首条样品采用30nm工艺制造，容量2GB，运行频率2133MHz并支持最高3200MHz，搭配“PseudoOpenDrain”技术使漏电率相比DDR3降低50%。2010年底三星已向控制器厂商提供测试样品。2020年深圳嘉合劲威公司实现光威弈Pro系列纯国产DDR4内存条的规模化量产。航宇微股份有限公司自2023年上半年起推进国产化存储器研制。AI算力需求增长导致主要存储厂商将资源转向
HBM和
DDR5，使得DDR4供应缺口急剧扩大，价格出现显著上涨，
DRAM现货价格自2025年9月起累计上涨超过300%。消费级内存供应紧张状况预计持续至2028年左右。
近期，由于AI算力需求增长，DDR4内存供应趋紧，价格呈现上涨趋势。例如，在现货市场，部分DDR4芯片价格从2025年三四月的约3美元飙升至12月的70美元。全球存储产能变化导致消费级
DRAM供应紧张，预计持续至2028年左右。这主要是由于
美光、
三星、SK海力士等国际大厂在2025年宣布逐步停产DDR4，将产能转向
DDR5等新技术。AI算力浪潮导致DDR4等传统存储产品供需失衡，DRAM现货价格自2025年起显著上升。例如，
OpenAI的“
星际之门”项目每月需采购90万片DRAM晶圆，占全球DRAM总产能近40%。下游PC和平板产品因存储成本上升而普遍调整价格。如
戴尔商用PC涨幅在10%至30%，
OPPO、
vivo、
小米等手机和平板涨幅达数百元。中小厂商则采用“接单后再采购”模式，部分企业因无法传导成本而面临倒闭风险。存储供应紧张状况预计长期存在，未来DRAM价格可能持续面临上行压力。此外，DDR4在AM4平台上因配套成本低而展现出性价比优势。行业洗牌加剧，贸易商在供需失衡中寻找套利与生存空间，部分转向旧货或拆机料市场。
另一方面，DDR5内存价格持续飙升，玩家们正将目光投向更具性价比的DDR4平台。例如，
昂达推出了全新的Z790PRO-WIFI-B4主板，配备了四个DDR4内存插槽，支持XMP技术，最高可超频至DDR4-3600MHz。其779元的售价使得这款主板比较适合那些希望在合理预算内升级硬件，同时又不想更换内存的用户。
在2025年
存储芯片“超级周期”中，国产存储芯片凭借成熟的性能、稳定的供应与突出的性价比，赢得大规模市场渗透的窗口，客户对国产芯片接受度显著提高，很少有客户坚持非进口芯片不用，除非项目有特殊要求。然而，国产芯片在现货市场同样面临涨价，例如长鑫存储部分产品从四五美元炒到18美元至20美元。在高端市场，国产芯片如DDR4的2GB规格覆盖较少，LPDDR5高端型号刚推出，而进口品牌已量产三四年；在
HBM等前沿领域，进口品牌仍占主导。另一方面，在利基型
DRAM市场（如
DDR3、小容量DDR4），国际供应商逐步退出，国内存储供应商如兆易创新和长鑫存储迎来发展机遇。
三星电子2011年1月4日宣布，已经完成了第一款DDR4DRAM规格内存条的开发，并采用30nm级工艺制造了首批样品。
DDR4内存的标准规范仍未最终定夺。三星这条样品属于UDIMM类型，容量为2GB，运行电压只有1.2V，工作频率为2133MHz，而且凭借新的电路架构最高可以达到3200MHz。相比之下，
DDR3内存的标准频率最高仅为1600MHz，运行电压一般为1.5V，节能版也有1.35V。仅此一点，DDR4内存就可以节能最多40%。
三星表示，这条DDR4内存使用了曾出现在高端显存颗粒上的“PseudoOpenDrain”(虚拟开漏极)技术，在读取、写入数据的时候漏电率只有DDR3内存的一半。
三星称，2010年12月底已经向一家控制器制造商提供了这种DDR4内存条的样品进行测试，并计划与多家内存厂商密切合作，帮助
JEDEC组织在2011年下半年完成DDR4标准规范的制定工作，预计2012年开始投入商用。